宇宙開発事業団技術報告, 2003巻 0006E号 TMR, 2003/8/29

宇宙開発事業団技術報告, 2003巻 0006E号 TMR, 2003/8/29

ウチュウ カイハツ ジギョウダン ギジュツ ホウコク

宇宙開発事業団 [編]

東京 : 宇宙開発事業団, 1973-

雑誌巻号

巻号情報

2003巻 0006E号 TMR 2003/8/29 Annual Report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2002): Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)-Growth of homogeneous crystals
No. 所在 資料ID 受入日 製本状態 予約人数

1

横須賀図書館(職員専用図書館)

22023965

2005/01/27

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詳細情報

創刊・終刊

1 (1973)-22 (1988) ; 930001 (1993.3)-990010 (2000.3) ; 000001 (2000.7)-

並列誌名

Technical report of National Space Development Agency of Japan

別誌名

NASDA technical memorandum

NASDA-TMR

注記

並列タイトルは22 (1988)まで (930001 からは表示なし)

欧文タイトル: NASDA technical memorandum のみの号もあり (930001 (1993.3)-)

出版国

日本

標題言語

日本語 (jpn)

本文言語

日本語 (jpn)

団体情報

宇宙開発事業団 (ウチュウ カイハツ ジギョウダン) [ National Space Development Agency of Japan ] [ NASDA ] [ 宇宙航空研究開発機構 (ウチュウ コウクウ ケンキュウ カイハツ キコウ) ]

ISSN

13457888

NCID

AN00364784

番号

ULPN : 0367150001